英(ying)諾賽(sai)科成立于(yu)2015年(nian)12月，是一家致(zhi)力于(yu)第三代半(ban)導體硅基氮(dan)(dan)化鎵研發(fa)與產(chan)業化的(de)高(gao)(gao)新技術企(qi)業。公(gong)司采用IDM全產(chan)業鏈模式，集芯片設(she)計、外延生(sheng)長、芯片制造(zao)、測(ce)試(shi)與失效分析于(yu)一體，擁有全球最大(da)的(de)8英(ying)寸硅基氮(dan)(dan)化鎵晶圓的(de)生(sheng)產(chan)能力。公(gong)司的(de)主要產(chan)品涵蓋從低壓到(dao)高(gao)(gao)壓（30V-700V）的(de)氮(dan)(dan)化鎵功率(lv)器件，產(chan)品設(she)計及性能均達到(dao)國際(ji)先進(jin)水(shui)平。 

    英諾賽科(ke)已在激光雷達、數據(ju)中心、5G通訊、高(gao)密(mi)度(du)高(gao)效(xiao)快速充電(dian)、無線充電(dian)、車(che)載充電(dian)器(qi)、LED 燈照明驅動等(deng)方面發(fa)布產(chan)品方案，并與國內多家應用頭部企業開展(zhan)深度(du)合作(zuo)，實現量(liang)產(chan)。英諾賽科(ke)作(zuo)為技術全球領先的第三(san)代半導(dao)體(ti)公司，在8英寸(cun)硅基氮化鎵核心技術和關鍵工(gong)藝領域已實現重大突破(po)(po)，建(jian)立了(le)高(gao)功率(lv)密(mi)度(du)、高(gao)效(xiao)率(lv)、高(gao)增益(yi)、低成本(ben)的硅基氮化鎵量(liang)產(chan)平臺，實現了(le)中國第三(san)代半導(dao)體(ti)零的突破(po)(po)。